简述磁阻传感器及巨磁电阻传感器工作原理

磁阻传感器是由一长条铁磁薄膜(如透磁合金、镍铁合金)制成的。用标准半导体技术将这些薄膜熔制在硅片上。板的厚度有几百埃(150-500)，宽度为几十微米(10-50)，长度从几百至几千微米。

巨磁电阻传感器是基于电子自旋相关散射效应，它是磁敏传感器家族中的一枝新秀，具有灵敏度高、探测范围宽、抗恶劣环境等优点，GMR巨磁电阻传感器可利用半导体曝光和刻蚀工艺，使该元件集成化、小型化，利用各种不同的GMR薄膜材料和硬磁薄膜材料及软磁薄膜材料可以作出不同用途的线性和数字型磁场传感器，GMR磁场传感器的性能价格比远远超过其它几种磁场传感器。

GMR巨磁电阻传感器主要用于探测磁场、电流、位移、角速度等领域。

磁阻传感器是由一长条铁磁薄膜(如透磁合金、镍铁合金)制成的。用标准半导体技术将这些薄膜熔制在硅片上。板的厚度有几百埃(150-500)，宽度为几十微米(10-50)，长度从几百至几千微米的,巨磁阻效应(GMR)是*近才发现的现象，它基于电子通过数层叠层中，非常薄铁磁层和非磁性层(25-50埃)之间的界AMR面散射。这是由于磁阻效应与上述效应相比显得大而如此命名。当两个相邻的铁磁层有反向磁化强度时，电阻要高于它们在同一方向上的磁化强度矢量。

GMR是由法国的M. N. Baibich等人1988在年发现的，已成为重大研究课程GMR。通过新兴的技术我们有希望制造G出高灵敏度的小型传感器。迄今为止，MR效应需要工作在高强度的磁场并伴有高分贝噪声，这使得它不能应用于大范围的传感器产品中。电阻变化所需的磁场变10O化需从e到几千Oe，而灵敏度尚未达MR到或磁通门装置的灵敏度。但正继续朝着开发更低磁场的方向发展。